Metal induced inhomogeneous Schottky barrier height in AlGaN/GaN Schottky diode

The dependence of barrier height inhomogeneity on the gate metal has been investigated for the AlGaN/GaN Schottky diode. The analysis from the electroreflectance spectroscopy measurement for different types of Schottky gate metals tried (in this case, Au, Pt, Pd, and Ni) reveals that the surface don...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2013-06, Vol.102 (24)
Hauptverfasser:	Shin, Jong-Hoon, Park, Jinhong, Jang, SeungYup, Jang, T., Sang Kim, Kyu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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