Dielectric properties of Si3− ξ GeξN4 and Si3−ξCξN4: A density functional study

Using first principles calculations, we have studied the dielectric properties of crystalline α- and β-phase silicon germanium nitrides and silicon carbon nitrides, A3−ξBξN4 (A = Si, B = Ge or C, ξ=0,1,2,3). In silicon germanium nitrides, both the high-frequency and static dielectric constants incre...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2013-06, Vol.113 (23)
Hauptverfasser:	Ulman, Kanchan, Sathiyanarayanan, Rajesh, Pandey, R. K., Murali, K. V. R. M., Narasimhan, Shobhana
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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