Defect identification in GaAs grown at low temperatures by positron annihilation

We use positron annihilation to study vacancy defects in GaAs grown at low temperatures (LT–GaAs). The vacancies in as-grown LT–GaAs can be identified to be Ga monovacancies, VGa, according to their positron lifetime and annihilation momentum distribution. The charge state of the vacancies is neutra...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2000-06, Vol.87 (12), p.8368-8379
Hauptverfasser:	Gebauer, J., Börner, F., Krause-Rehberg, R., Staab, T. E. M., Bauer-Kugelmann, W., Kögel, G., Triftshäuser, W., Specht, P., Lutz, R. C., Weber, E. R., Luysberg, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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