Photoluminescence of InAs1−xSbx/AlSb single quantum wells: Transition from type-II to type-I band alignment

Infrared photoluminescence has been used to study the band-gap energy of InAs1−xSbx digital superlattices and band alignment of InAs1−xSbx/AlSb quantum wells at 5 K. It is found that the InAs1−xSbx digital alloys have a smaller effective band gap than InAs1−xSbx random alloys. In addition, the valen...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2000-06, Vol.87 (11), p.8192-8194
Hauptverfasser:	Yang, M. J., Bennett, B. R., Fatemi, M., Lin-Chung, P. J., Moore, W. J., Yang, C. H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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