Reduction mechanisms for defect densities in GaN using one- or two-step epitaxial lateral overgrowth methods

A transmission electron microscopy study of the reduction mechanisms for defect densities in epitaxial lateral overgrown (ELO) GaN films is presented. In the standard one step ELO, the propagation of defects under the mask is blocked, whereas the defects in the window regions thread up to the surfac...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2000-05, Vol.87 (9), p.4175-4181
Hauptverfasser:	Vennéguès, P., Beaumont, B., Bousquet, V., Vaille, M., Gibart, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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