Fast programming metal-gate Si quantum dot nonvolatile memory using green nanosecond laser spike annealing

The ultrafast metal-gate silicon quantum-dot (Si-QD) nonvolatile memory (NVM) with program/erase speed of 1 μ s under low operating voltages of±7V is achieved by thin tunneling oxide, in situ Si-QD-embedded dielectrics, and metal gate. Selective source/drain activation by green nanosecond laser spik...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-04, Vol.100 (14), p.143501-143501-4
Hauptverfasser:	Lien, Yu-Chung, Shieh, Jia-Min, Huang, Wen-Hsien, Tu, Cheng-Hui, Wang, Chieh, Shen, Chang-Hong, Dai, Bau-Tong, Pan, Ci-Ling, Hu, Chenming, Yang, Fu-Liang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!