High Si and Ge n-type doping of GaN doping - Limits and impact on stress

We report on GaN n-type doping using silane, germane, and isobutylgermane as Si and Ge dopants, respectively. A significant increase in tensile stress during growth is observed for Si doped samples while this is not the case for Ge doping. In addition, Ge can be doped up to 2.9×10 20 cm −3 , while S...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-03, Vol.100 (12), p.122104-122104-4
Hauptverfasser:	Fritze, S., Dadgar, A., Witte, H., Bügler, M., Rohrbeck, A., Bläsing, J., Hoffmann, A., Krost, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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