Compositional dependence of electrical characteristics of SrBi2(Ta1−xNbx)2O9 thin-film capacitors

Ferroelectric capacitors using SrBi2(Ta1−xNbx)2O9 (SBTN) were compositionally altered varying Nb concentration from 0 to 1, the corresponding I–V and P–E electrical characteristics evaluated from room temperature to 145 °C. These temperature evaluations reveal that the leakage current will increase...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1998-12, Vol.84 (12), p.6788-6794
Hauptverfasser: Furuya, Akira, Cuchiaro, Joe D.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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