Temperature dependence of the resistivity and tunneling magnetoresistance of sputtered FeHf(Si)O cermet films

We have studied the tunneling resistivity and magnetoresistance of reactive sputter deposited FeHfO and FeHfSiO thin granular films. Maximum magnetoresistance ratios at room temperature of 2% and 3.2% were observed for films with compositions of Fe47Hf10O43 and Fe40Hf6Si6O48, respectively. The magne...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1998-09, Vol.84 (5), p.2749-2753
Hauptverfasser:	Strijkers, G. J., Swagten, H. J. M., Rulkens, B., Bitter, R. H. J. N., de Jonge, W. J. M., Bloemen, P. J. H., Schep, K. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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