Bias voltage and temperature dependence of magnetotunneling effect

We have studied systematically the magnetotunneling properties of several metallic magnetictunnel-junction systems (Ni80Fe20–insulator–Ni80Fe20,Ni80Fe20–I–Co,Co–I–Co, Ni40Fe60–I–Co). The room-temperature magnetoresistance MR value at zero-bias ranges between 16% and 27%, depending on the spin polari...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1998-06, Vol.83 (11), p.6515-6517
Hauptverfasser:	Lu, Yu, Li, X. W., Xiao, Gang, Altman, R. A., Gallagher, W. J., Marley, A., Roche, K., Parkin, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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