Effects of substrate orientation on the optical anisotropy spectra of GaN/AlN/Si heterostructures in the energy range from 2.0 to 3.5 eV

We report reflectance (R) and reflectance difference spectroscopy (RDS) spectra of wurtzite heterostructures grown on Si(111) and Si(110) substrates in the energy range from 2.0 to 3.5 eV. Due to the threefold symmetry of the Si(111) surface, the heterostructures grown on this surface will relax iso...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2012-01, Vol.111 (2)
Hauptverfasser:	Lastras-Martínez, L. F., Balderas-Navarro, R. E., Herrera-Jasso, R., Ortega-Gallegos, J., Lastras-Martínez, A., Cordier, Y., Moreno, J.-Ch, Frayssinet, E., Semond, F.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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