Temperature dependence of impact ionization coefficients in p-Si

An efficient full-band Monte Carlo program for high-energy carrier transport is employed to investigate hole impact ionization in p-Si for a range of electric fields up to 800 kV/cm and lattice temperatures between 77 and 450 K. An empirical expression is developed for the temperature dependence of...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1998-05, Vol.83 (9), p.4988-4990
Hauptverfasser:	Roze, K., Bannov, N. A., Kim, K. W., Holton, W. C., Littlejohn, M. A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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