Double crystal x-ray diffraction simulations of diffusion in semiconductor microstructures

Diffusion in group IV, III-V and II-VI semiconductors is an interesting problem not only from a fundamental physics viewpoint but also in practical terms, since it could determine the useful lifetime of a device. Any attempt to control the amount of diffusion in a semiconductor device, whether it be...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1998-04, Vol.83 (8), p.4037-4041
Hauptverfasser:	Fatah, J. M., Harrison, P., Stirner, T., Hogg, J. H. C., Hagston, W. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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