Aging behavior of photoluminescence in porous silicon

The aging phenomena of porous silicon (PS) over a 192 day time span have been studied using photoluminescence (PL) spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and transmission electron microscopy. As-prepared PS exhibits red PL peaking near 650 nm. The PL intensity increases with time to...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1997-12, Vol.82 (11), p.5718-5721
Hauptverfasser:	Fukuda, Yoshio, Furuya, Kazuo, Ishikawa, Nobuhiro, Saito, Tetsuya
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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