The active dopant concentration in ion implanted indium tin oxide thin films

The effect of oxygen ion implantation on the electrical and optical properties of Sn-doped In2O3 (ITO) thin films, sputter deposited from a planar magnetron source on glass substrates, is described. The films were characterized as a function of the implanted dose (3×1013–1×1016 O+ cm−2) by Hall effe...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1996-10, Vol.80 (7), p.3734-3738
Hauptverfasser:	Vink, T. J., Overwijk, M. H. F., Walrave, W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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