Spin dependent charge pumping in SiC metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

We demonstrate a very powerful electrically detected magnetic resonance (EDMR) technique, spin dependent charge pumping (SDCP) and apply it to 4H SiC metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors. SDCP combines a widely used electrical characterization tool with the most powerful analytical tec...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2011-08, Vol.99 (8), p.083504-083504-3
Hauptverfasser:	Bittel, B. C., Lenahan, P. M., Ryan, J. T., Fronheiser, J., Lelis, A. J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!