Temperature- and carrier-density-dependent electron tunneling kinetics in (Ga,In)As/(Al,In)As asymmetric double quantum wells

We present a detailed investigation of electron tunneling in (Ga,In)As/(Al,In)As asymmetric double quantum wells as a function of different excitation and temperature conditions. We show that tunneling dynamics depend strongly on the initial carrier temperature and momentum. For example, electron an...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1996-02, Vol.79 (3), p.1526-1531
Hauptverfasser:	Ten, S., Krol, M. F., McGinnis, B. P., Hayduk, M. J., Khitrova, G., Peyghambarian, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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