Highly efficient light emission from stacking faults intersecting nonpolar GaInN quantum wells

We report on the optical properties of m-plane GaInN/GaN quantum wells (QWs). We found that the emission energy of GaInN QWs grown on m-plane SiC is significantly lower than on non-polar bulk GaN, which we attribute to the high density of stacking faults. Temperature and power dependent photolumines...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2011-07, Vol.99 (1), p.011901-011901-3
Hauptverfasser:	Jönen, H., Rossow, U., Bremers, H., Hoffmann, L., Brendel, M., Dräger, A. D., Schwaiger, S., Scholz, F., Thalmair, J., Zweck, J., Hangleiter, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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