Plasma oxidation mechanisms in tungsten silicide thin films

The oxidation of tungsten disilicide in a rf oxygen plasma at floating potential in the 300–900 °C temperature range has been investigated. The oxidation kinetics and the elemental depth distribution in the films have been analyzed by the complementary use of Rutherford backscattering spectrometry a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1995-07, Vol.78 (1), p.514-518
Hauptverfasser:	Pérez-Casero, R., Perrière, J., Enard, J. P., Martínez-Duart, J. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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