Electroluminescence emission from light-emitting diode of p -ZnO /(InGaN/GaN) multiquantum well/ n -GaN

We report on the fabrication and characteristics of light-emitting diodes (LEDs) which consist of antimony (Sb) doped p -ZnO , (InGaN/GaN) multiquantum well (MQW), and n -GaN . An electroluminescence (EL) emission at a wavelength of 468 nm is observed from the hybrid LEDs after thermal annealing at...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2011-06, Vol.98 (25), p.251111-251111-3
Hauptverfasser:	Park, Tae-Young, Choi, Yong-Seok, Kim, Sang-Mook, Jung, Gun-Young, Park, Seong-Ju, Kwon, Bong-Joon, Cho, Yong-Hoon
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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