Erbium in oxygen-doped silicon: Electroluminescence

Room-temperature electroluminescence at 1.54 μm is demonstrated in erbium-implanted oxygen-doped silicon (27 at. % O), due to intra-4f transitions of the Er3+. The luminescence is electrically stimulated by biasing metal-(Si:O, Er)-p+ silicon diodes. The 30-nm-thick Si:O, Er films are amorphous laye...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1995-06, Vol.77 (12), p.6504-6510
Hauptverfasser:	Lombardo, S., Campisano, S. U., van den Hoven, G. N., Polman, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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