Semiconducting rhenium silicide thin films on Si(111)

The crystallographic, electronic, and optical properties of thin ReSi2 films (∼20–300 Å) have been investigated in situ by low energy electron diffraction (LEED) and photoelectron spectroscopy (XPS and UPS), ex situ by glancing incidence x-ray diffraction (GIXD), and optical absorption measurements....

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1995-03, Vol.77 (6), p.2514-2518
Hauptverfasser:	Nguyen Tan, T. A., Veuillen, J. Y., Muret, P., Kennou, S., Siokou, A., Ladas, S., Lahatra Razafindramisa, F., Brunel, M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!