Ion channeling studies of epitaxial Fe and Co silicides on Si

High quality epitaxial Co and Fe silicides have been grown by molecular beam epitaxy on Si(111) and Si(001) substrates with film thicknesses ranging between 25 and 8400 Å. We used Rutherford backscattering spectrometry channeling techniques to measure the lattice distortion as a function of film thi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1994-12, Vol.76 (11), p.7256-7264
Hauptverfasser:	Schwarz, C., Onda, N., Goncalves-Conto, S., Sirringhaus, H., von Känel, H., Pixley, R. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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