A local vibrational mode investigation of p -type Si-doped GaAs

Infrared absorption (IR) and Raman scattering measurements have been made of the localized vibration modes (LVM) due to defects incorporating silicon impurities in p-type Si-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy (LPE) on (001) planes and by molecular beam epitaxy (MBE) on (111)A and (311)A planes...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1994-12, Vol.76 (12), p.7839-7849
Hauptverfasser:	Ashwin, M. J., Fahy, M. R., Newman, R. C., Wagner, J., Robbie, D. A., Sangster, M. J. L., Silier, I., Bauser, E., Braun, W., Ploog, K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!