High power, 0.98 μm, Ga0.8In0.2As/GaAs/Ga0.51In0.49P multiple quantum well laser

We report the fabrication of high quality Ga0.8In0.2As/GaAs/Ga0.51In0.49P multiple quantum well laser emitting at 0.98 μm grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition. Continuous wave operation with output power of 500 mW per facet was achieved at room temperature for a broad area la...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1992-11, Vol.72 (9), p.4447-4448
Hauptverfasser:	Mobarhan, K., Razeghi, M., Marquebielle, G., Vassilaki, E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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