Influence of B concentration on recrystallization of polycrystalline Si

B-doped polycrystalline Si films were prepared by electron beam evaporation and heat treatment in order to study the influence of B concentration and annealing temperature on recrystallization of polycrystalline Si. By using cross-sectional transmission electron microscopy and Auger electron spectro...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1991-11, Vol.70 (9), p.4857-4862
Hauptverfasser: CARLSSON, J. R. A, GONG, S. F, LI, X.-H, HENTZELL, H. T. G
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!