Influence of B concentration on recrystallization of polycrystalline Si
B-doped polycrystalline Si films were prepared by electron beam evaporation and heat treatment in order to study the influence of B concentration and annealing temperature on recrystallization of polycrystalline Si. By using cross-sectional transmission electron microscopy and Auger electron spectro...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 1991-11, Vol.70 (9), p.4857-4862 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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