Negative thermal expansion due to negative area compressibility in TlGaSe2 semiconductor with layered crystalline structure

We conducted comparison of the original experimental data of the temperature dependences of thermal expansion in crystals with layered crystalline structure. It is shown that in most crystals with layered structure (graphite, boron nitride, GaSe, GaS, and InSe) the effect of negative thermal expansi...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2010-09, Vol.108 (6)
Hauptverfasser:	Seyidov, MirHasan Yu, Suleymanov, Rauf A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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