Mobility and saturation velocity in graphene on SiO2

We examine mobility and saturation velocity in graphene on SiO2 above room temperature (300–500 K) and at high fields (∼1 V/μm). Data are analyzed with practical models including gated carriers, thermal generation, “puddle” charge, and Joule heating. Both mobility and saturation velocity decrease wi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2010-08, Vol.97 (8)
Hauptverfasser:	Dorgan, Vincent E., Bae, Myung-Ho, Pop, Eric
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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