Spin dependent tunneling spectroscopy in 1.2 nm dielectrics

We demonstrate voltage controlled spin dependent tunneling in 1.2 nm effective oxide thickness silicon oxynitride films. Our observations introduce a simple method to link point defect structure and energy levels in a very direct way in materials of great technological importance. We obtain defect e...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2010-09, Vol.108 (6), p.064511-064511-6
Hauptverfasser:	Ryan, J. T., Lenahan, P. M., Krishnan, A. T., Krishnan, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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