Local disordering in epitaxially strained CoAl films grown on GaAs (001)

Local disordering has been analyzed in ordered intermetallic CoAl films epitaxially grown on GaAs(001) substrates by molecular beam epitaxy. Transmission electron microscopy investigations demonstrate the appearance of the bcc phase in the CoAl epilayer, which is the disordered version of the B2 cry...

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Veröffentlicht in:Journal of applied physics 2010-08, Vol.108 (3), p.033518-033518-5
Hauptverfasser: Wan, Q., Hey, R., Trampert, A.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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