Internal stress and internal friction in thin-layer microelectronic materials

Understanding of the static internal stress in supported thin layers can be aided by the use of dynamic mechanical analysis, with emphasis on internal friction measurements for the detection of defects susceptible to stress-induced ordering. In addition to the bending-bilayer and vibrating-reed meth...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1990-04, Vol.67 (8), p.3661-3668
Hauptverfasser: BERRY, B. S, PRITCHET, W. C
Format: Artikel
Sprache:eng
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