Catalyzed gaseous etching of silicon
Traces of copper and silver are shown to accelerate the etching of silicon by molecular fluorine. Copper residue formed by aqueous HF etching of sputter-deposited aluminum (0.5% Cu) produces a 100-fold increase in the etching rate of an underlying (100) silicon, compared to unmetallized samples, at...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 1987-08, Vol.62 (3), p.1049-1053 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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