Characterization of hydrogenation and dehydrogenation of post-plasma treated low-pressure chemical vapor deposited amorphous silicon films
Utilizing infrared spectroscopy, secondary ion mass spectroscopy, photoluminescence (PL), and electron-spin resonance measurements, we have characterized low-pressure chemical vapor deposition amorphous silicon films (a-Si) post-hydrogenated under various plasma treatment conditions, and annealed on...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 1987-11, Vol.62 (9), p.3740-3746 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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