Characterization of hydrogenation and dehydrogenation of post-plasma treated low-pressure chemical vapor deposited amorphous silicon films

Utilizing infrared spectroscopy, secondary ion mass spectroscopy, photoluminescence (PL), and electron-spin resonance measurements, we have characterized low-pressure chemical vapor deposition amorphous silicon films (a-Si) post-hydrogenated under various plasma treatment conditions, and annealed on...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1987-11, Vol.62 (9), p.3740-3746
Hauptverfasser: NAKAMURA, M, OHNO, T, KONISHI, N, MIYATA, K, KAMEZAWA, N
Format: Artikel
Sprache:eng
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