Electronic properties of strained Si/Ge core-shell nanowires
We investigated the electronic properties of strained Si/Ge core-shell nanowires along the [110] direction using first principles calculations based on density-functional theory. The diameter of the studied core-shell wire is up to 5 nm. We found the band gap of the core-shell wire is smaller than t...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Applied physics letters 2010-04, Vol.96 (14), p.143119-143119-3 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!