Deposition and photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon films by the pyrolysis of disilane
The thermal decomposition of disilane (Si2H6) in a hydrogen or helium flow has been used for the deposition of hydrogenated amorphous-silicon (a-Si:H) films on the surface of Corning 7059 glass substrates at 450–500 °C. The reaction product consists of monosilane and trisilane in addition to the unr...
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Veröffentlicht in: | Journal of applied physics 1986-02, Vol.59 (4), p.1319-1322 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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