Effects of CdSe shell layer on the electrical properties of nonvolatile memory devices fabricated utilizing core-shell CdTe-CdSe nanoparticles embedded in a poly(9-vinylcarbazole) layer

Nonvolatile memory devices were fabricated with core-shell CdTe-CdSe nanoparticles embedded in a poly(9-vinylcarbazole) (PVK) layer to investigate the variations in the electrical properties due to a CdSe shell layer. Capacitance-voltage measurements on Al/CdTe nanoparticles embedded in PVK layer/ p...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2010-03, Vol.96 (12), p.123302-123302-3
Hauptverfasser:	Yun, Dong Yeol, Jung, Jae Hun, Lee, Dea Uk, Kim, Tae Whan, Ryu, E. D., Kim, S. W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!