Millisecond flash lamp annealing of shallow implanted layers in Ge

Shallow n + layers in Ge are formed by phosphorus implantation and subsequent millisecond flash lamp annealing. Present investigations are focused on the dependence of P redistribution, diffusion and electrical activation on heat input into the sample and flash duration. In contrast to conventional...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2009-12, Vol.95 (25), p.252107-252107-3
Hauptverfasser:	Wündisch, C., Posselt, M., Schmidt, B., Heera, V., Schumann, T., Mücklich, A., Grötzschel, R., Skorupa, W., Clarysse, T., Simoen, E., Hortenbach, H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!