Electrical transport in laser-crystallized polycrystalline silicon-germanium thin-films

We report on the electrical transport properties of intentionally undoped, laser-crystallized polycrystalline silicon-germanium thin-films. The electrical transport in this material strongly depends on the alloy composition and the crystallization procedure. At low temperatures the undoped germanium...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2009-08, Vol.95 (6), p.062101-062101-3
Hauptverfasser:	Scheller, L.-P., Weizman, M., Nickel, N. H., Yan, B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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