Impact of GaN cap thickness on optical, electrical, and device properties in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures

We systematically investigate Al0.22Ga0.78N/GaN high electron mobility transistors with GaN cap layer thicknesses of 0, 1, and 3 nm. All samples have electron mobilities around 1700 cm2/Vs and sheet carrier concentrations around 8×1012 cm−2 as determined by Hall effect measurements. From photoreflec...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2009-07, Vol.106 (2)
Hauptverfasser:	Waltereit, P., Müller, S., Bellmann, K., Buchheim, C., Goldhahn, R., Köhler, K., Kirste, L., Baeumler, M., Dammann, M., Bronner, W., Quay, R., Ambacher, O.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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