Thermopower-enhanced efficiency of Si/SiGe ballistic rectifiers

Injection-type ballistic rectifiers on Si/SiGe are studied with respect to the influence of gate voltage on the transfer resistance R T (output voltage divided by input current) for different positions of a local gate electrode. The rectifiers are trifurcated quantum wires with straight voltage stem...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2009-05, Vol.94 (20), p.203503-203503-3
Hauptverfasser:	Salloch, D., Wieser, U., Kunze, U., Hackbarth, T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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