Electrical properties of N-polar AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown on SiC by metalorganic chemical vapor deposition

N-polar high electron mobility transistors (HEMTs) were fabricated from GaN/AlGaN/GaN heterostructures grown on n -type vicinal C-face SiC substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The heterostructures had a sheet charge density and mobility of 6.6 × 10 12   cm − 2 and 1370   cm 2 V − 1...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2009-04, Vol.94 (15), p.153506-153506-3
Hauptverfasser:	Brown, David F., Chu, Rongming, Keller, Stacia, DenBaars, Steven P., Mishra, Umesh K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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