Key scattering mechanisms for holes in strained SiGe/Ge/SiGe square quantum wells

We present a theory of the low-temperature transport of holes confined in the Ge strained channel of single-side modulation-doped SiGe/Ge/SiGe square quantum wells (QWs). Besides the well-known scattering mechanisms such as remote impurities and surface roughness, the theory includes misfit deformat...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2008-12, Vol.104 (11), p.113711-113711-8
Hauptverfasser:	Quang, Doan Nhat, Tung, Nguyen Huyen, Hien, Do Thi, Hai, Tran Thi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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