Solid-phase epitaxial regrowth of amorphous silicon containing helium bubbles

Transmission electron microscopy has been used to study processes occurring when a layer of amorphous silicon ( a -Si ) containing helium-filled cavities buried in crystalline silicon ( c -Si ) recrystallizes by solid phase epitaxial growth (SPEG). The buried layer was formed in (100) silicon by mea...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2008-11, Vol.104 (9), p.094905-094905-7
Hauptverfasser:	Beaufort, M. F., Pizzagalli, L., Gandy, A. S., Oliviero, E., Eyidi, D., Donnelly, S. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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