Formation and nonvolatile memory characteristics of multilayer nickel-silicide NCs embedded in nitride layer

The authors provided the formation and memory effects of nonvolatile multilayer nickel-silicide nanocrystal memory in this study. This proposed structure can efficiently improve the drawbacks of current floating gate and single-layer nanocrystal memories for the next-generation nonvolatile memory ap...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2008-11, Vol.104 (9), p.094303-094303-6
Hauptverfasser:	Chen, Wei-Ren, Chang, Ting-Chang, Yeh, Jui-Lung, Sze, S. M., Chang, Chun-Yen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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