Modeling of the evolution of dielectric loss with processing temperature in ferroelectric and dielectric thin oxide films

It was experimentally found that the evolution of dielectric loss with processing temperature displays a common trend in ferroelectric and dielectric thin oxide films; first an increase and then a decrease in dielectric loss when the processing temperature is gradually raised. Such a dielectric resp...

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Veröffentlicht in:Journal of applied physics 2008-10, Vol.104 (7), p.074118-074118-5
Hauptverfasser: Zhu, X. H., Guigues, B., Defaÿ, E., Aïd, M.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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