Improved carrier injection in gate-all-around Schottky barrier silicon nanowire field-effect transistors

This letter presents the performance improvement of Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistor by employing gate-all-around (GAA) Si-nanowire (SiNW) structure. Without employing any barrier lowering technique, the mid-band-gap Ni-silicide Schottky barrier transistors demonstr...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2008-08, Vol.93 (7), p.073503-073503-3
Hauptverfasser:	Peng, J. W., Lee, S. J., Liang, G. C. Albert, Singh, N., Zhu, S. Y., Lo, G. Q., Kwong, D. L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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