Highly stacked quantum-dot laser fabricated using a strain compensation technique

We used a strain compensation technique to fabricate highly stacked InAs quantum-dot (QD) structures on InP(311)B substrates. We stacked 60 layers of InAs QDs without degrading the crystal quality and produced a structure with a total QD density of 4.73 × 10 12 ∕ cm 2 . We then fabricated a broad ar...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2008-07, Vol.93 (4), p.041121-041121-3
Hauptverfasser:	Akahane, Kouichi, Yamamoto, Naokatsu, Tsuchiya, Masahiro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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