GaMnAs-based hybrid multiferroic memory device

We report a nonvolatile hybrid multiferroic memory cell with electrostatic control of magnetization based on strain-coupled GaMnAs ferromagnetic semiconductor and a piezoelectric material. We use the crystalline anisotropy of GaMnAs to store information in the orientation of the magnetization along...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2008-05, Vol.92 (19), p.192501-192501-3
Hauptverfasser:	Overby, M., Chernyshov, A., Rokhinson, L. P., Liu, X., Furdyna, J. K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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