Intense terahertz emission from a -plane InN surface

We report a significant enhancement in terahertz emission from the indium nitride (InN) films grown along the a axis ( a -plane InN), relative to the InN films grown along the c axis. The primary radiation mechanism of the a -plane InN film is found to be due to the acceleration of photoexcited carr...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2008-03, Vol.92 (10), p.102103-102103-3
Hauptverfasser:	Ahn, H., Ku, Y.-P., Chuang, C.-H., Pan, C.-L., Lin, H.-W., Hong, Y.-L., Gwo, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!