A constructive combination of antireflection and intermediate-reflector layers for a - Si ∕ μ c - Si thin film solar cells

This device design approach combines sputter-deposited Ti O 2 antireflection layer (ARL) and plasma-enhanced chemical vapor deposition-grown Si O x intermediate-reflector layer (IRL) in superstrate a - Si ∕ μ c - Si thin film solar cell. The loss of current from either the component cells with indiv...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2008-02, Vol.92 (5), p.053509-053509-3
Hauptverfasser:	Das, Chandan, Lambertz, Andreas, Huepkes, Juergen, Reetz, Wilfried, Finger, Friedhelm
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!